Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR2 PC2-6400 4GB (HMP351S6AFR8C-S6) ) OEM

Модули оперативной памяти в зависимости от конструктивной реализации и электрического интерфейса микросхем делятся на несколько типов. Наиболее распространены модули DIMM (Dual In-line Memory Module) для настольных ПК и SO-DIMM для мобильных ПК и неттопов. В свою очередь модули могут относиться к одному из поколений: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM.

ECC (Error Correction Coding) - метод избыточного кодирования информации, позволяющий выявлять и исправлять ошибки, как правило - единичные биты. Реализация механизма ECC позволяет защитить память от сбоев, возникающих из-за естественного "плавания" заряда в ячейках динамической памяти. Модули оперативной памяти могут быть оснащены дополнительной микросхемой для хранения кодов ECC, поскольку поддержка этого механизма изначально в них заложена. Впрочем, для корректной работы памяти с ECC должна быть обеспечена поддержка со стороны контроллера памяти (встроен в чипсет или процессор) и материнской платы. На обычных ПК такая память обычно не применяется.

Частота, на которой происходит обмен данными между микросхемами DRAM и контроллером памяти. Чем выше частота, тем выше будет пиковая (мгновенная, без учета задержек доступа) скорость работы памяти. Впрочем, поддержка высоких частот должна быть обеспечена со стороны контроллера памяти (в чипсете или процессоре), иначе приобретать более скоростной тип памяти не имеет смысла.

Модули памяти, удовлетворяющие определенному стандарту JEDEC (определяет работоспособность при заданных параметрах, в том числе частоте), маркируются PC-индексом. Цифра после букв "PC" определяет поколение DDR (PC2 - DDR2, PC3 - DDR3), затем следует значение пиковой пропускной способности в Мбайт/с. Данное значение рассчитывается как произведение ширины шины памяти в байтах и частоты работы памяти. Например, для памяти DDR2 с частотой обмена данными 800 МГц индекс будет 800*8=6400, и память маркируется как PC2-6400.

Одна из наиболее важных задержек адресации памяти DRAM носит название CAS Latency (CL). CAS - это Column Address Strobe, сигнал выборки столбца, который поступает после сигнала выборки строки (Row Address Strobe, или RAS). Фактически CAS Latency определяет скорость подачи данных на выходные усилители после поступления полного адреса. Ввиду того, что память DRAM работает в пакетном режиме, а блоки данных располагаются чаще всего последовательно, задержка CAS Latency вместе с частотой обмена данными фактически определяет скорость работы памяти. Проще говоря, чем меньше CL, тем меньше будет задержка и тем выше - общая скорость памяти. Но следует помнить, что CAS Latency для упрощения указывается не в единицах времени, а в тактах, а длительность такта зависит от частоты работы памяти. Сравнивать такты для памяти различного типа не имеет смысла.

Для каждого типа памяти (SDR, DDR, DDR2, DDR3, DDR4) предусмотрено определенное напряжение питания, а точнее, стандарт уровня напряжения SSTL. Иногда для повышения стабильности работы при "заводском разгоне" производитель рекомендует более высокое напряжение. С другой стороны, для снижения энергопотребления производитель может обеспечить работоспособность памяти и на пониженном напряжении.

Ранк памяти - это блок или область данных, созданная с использованием некоторых или всех чипов памяти, и имеющая ширину 64 бита (72 бита для модулей с поддержкой ECC). Модуль памяти может содержать 1, 2 или 4 блока шириной 64 бита (72 бита для ECC-модулей). Иногда количество ранков совпадает с расположением чипом на модуле памяти (одностороннее или двустороннее).

При равном объеме предпочтительнее приобретать модуль памяти на меньшем числе микросхем, так как при этом организация и энергопотребление модуля будет лучше.

Чем выше ёмкость микросхем, тем новее технология, по которой они изготовлены, и тем лучше параметры модуля DIMM (см. Число микросхем).

Микросхемы памяти DRAM могут иметь различную организацию, например, иметь шину данных шириной 4, 8 или 16 бит. От организации микросхем зависит, какое их количество требуется для получения нужной суммарной ёмкости модуля DIMM.

Профили XMP, прописанные в SPD модуля памяти, позволяют средствами BIOS Setup переключиться в режим разгона, не настраивая вручную все задержки (они описаны в профиле). По сути это всего лишь встроенная помощь неопытному пользователю, который хочет разогнать память, но не знает, как.

Модули памяти при разгоне испытывают повышенный нагрев, как и любые другие компоненты. Наличие радиаторов позволяет равномерно распределить и рассеять выделяемую тепловую энергию. Если радиаторы обдуваются или к ним подведена жидкость, их эффективность возрастает многократно. При отсутствии разгона наличие радиаторов нежелательно, т.к. это увеличивает стоимость.

Низкопрофильные модули DIMM имеют меньшую высоту, чем предписано стандартом, что теоретически позволяет улучшить циркуляцию воздуха внутри корпуса настольной системы, особенно если корпус имеет компактные размеры. Для стандартных корпусов этот параметр не играет роли.